دانلود پایان نامه مقایسه و معادله


Widget not in any sidebars
شکل 4-12) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb10 در دمای K 298 و فاصله الکترودی 560 میکرون
شکل 4-13) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 298 و فاصله الکترودی 240 میکرون
شکل 4-14) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 298 و فاصله الکترودی 390 میکرون
شکل 4-15) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 298 و فاصله الکترودی 540 میکرون
شکل 4-16) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 298 و فاصله الکترودی 340 میکرون
شکل 4-17) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 298 و فاصله الکترودی 390 میکرون
شکل 4-18) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی(IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 298 و فاصله الکترودی 540 میکرون

در شکل های (4-3) تا (4-18) منحنیهای مشخصه ولتاژ- جریان نمونههای TVSbx، در فواصل الکترودی مختلف در دمای اتاق به دست آمده است و دیده میشود که در هر نمونه، با افزایش فاصله الکترودی، ولتاژ آستانه شروع رفتار کلید زنی یا مقاومت الکتریکی منفی افزایش می یابد. همانگونه که گفته شد، با توجه به معادله (4-5) از قسمت خطی منحنی های توان الکتریکی برحسب می توان Ea و α را به ترتیب از شیب و عرض از مبدأ این خط بدست آورده و نتایج این محاسبات در جدول (4-1) آمده است و روی نمودارها نیز ثبت شده است؛ که در آن R و به ترتیب مقاومت الکتریکی در دمای نامحدود و انرژی فعالسازی الکتریکی بدست آمده به روش چهار سیمه می باشد که از کارهای پژوهشی قبلی استفاده شده است[69]. می توان از مقادیر و (Ea بدست آمده در کار حاضر جهت تمایز با بدست آمده به روش چهارسیمه با نماد نشان داده می شود.) که در کار حاضر بدست آمده است دریافت که نتایج انرژی فعالسازی در این دو روش بسیار به هم نزدیکند و همچنین از مقایسه این دو مقدار با مقادیر گاف انرژی این نمونه ها بر اساس گزارش های قبلی [70] چنین نتیجه گرفت که رسانش الکتریکی جهشی (و نه نوار به نوار) حاملهای بار بین حالات جایگزیده صورت می گیرد.
جدول (4-1) مقادیر ضریب اتلاف گرما (α) و انرژی فعالسازی الکتریکی (Ea) در روش های مختلف برای نمونه های TVSbx در دمای اتاق (298 K) و فواصل الکترودی مختلف
نمونه
L (micron)
α (K.W-1)
[69] R ()
Tg(ºC) [70]

Share this post

Post navigation

You might be interested in...